Инверторная сварка на транзисторах



Проверка боем: применение IGBT от ST в составе инверторов сварочных аппаратов MMA

STMicroelectronics выпускает несколько серий IGBT-транзисторов и мощных быстродействующих диодов, идеально подходящих для создания инверторов сварочных аппаратов. Сверхсовременные IGBT серий V, H, HB, M и диоды серии W отличаются малыми потерями на переключения и низким напряжением насыщения. Эти замечательные качества были подтверждены на практике при испытании MMA-инверторов мощностью 4 и 6 кВт.

Рынок сварочного оборудования представляет собой быстроразвивающуюся отрасль силовой электроники. На сегодня существует множество типов сварочных аппаратов:

  • с различными технологиями – ручная дуговая сварка плавящимся электродом (manual metal arc, ММА), ручная сварка в среде защитных газов (tungsten inert gas, TIG), полуавтоматическая сварка в среде инертных (metal inertgas, MIG) или активных газов (metal active gas, MAG);
  • с различными источниками тока – трансформаторные, инверторные;
  • с постоянным выходным током (например, для сварки стали) или с переменным током (например, для сварки алюминия).

Наиболее распространенным типом сварочной технологии является MMA. Она отличается простотой и применяется как в профессиональных, так и в бытовых аппаратах. Структура такого сварочного аппарата достаточно проста и состоит из источника тока, выходного выпрямителя (опционально) и системы управления (рисунок 1).

Рис. 1. Упрощенная структурная схема сварочного аппарата

Источник тока может быть реализован на базе мощного сетевого трансформатора (трансформаторный аппарат), либо на базе инвертора (инверторный аппарат). Главными достоинствами трансформаторных аппаратов являются простота и максимальная надежность, а недостатками – большие габариты, грубое регулирование и низкое качество сварки. Инверторные аппараты, использующие современные полупроводниковые силовые ключи, не имеют этих недостатков.

Основными компонентами мощных инверторов являются IGBT-транзисторы и быстродействующие диоды. Компания STMicroelectronics выпускает силовые электронные компоненты, идеально подходящие для построения сварочных аппаратов [1]:

  • IGBT серии V со сверхнизкой энергией выключения, работающие с напряжениями до 600 В на частотах до 120 кГц;
  • IGBT серии HB с малым напряжением насыщения и низкой энергией выключения, работающие с напряжениями до 650 В на частотах до 50 кГц;
  • IGBT серии H с низкой энергией выключения, работающие с напряжениями до 1200 В на частотах до 35 кГц;
  • IGBT серии M с малым напряжением насыщения, работающие с напряжениями до 1200 В на частотах до 20 кГц;
  • диоды серии W с малым прямым падением напряжения и минимальным временем восстановления.

Требования к IGBT в составе сварочных инверторов

Принцип работы инверторного сварочного аппарата достаточно прост (рисунок 2). Питающее напряжение сети выпрямляется и поступает на вход инвертора. Инвертор преобразует постоянное напряжение в переменное, которое передается в нагрузку через высокочастотный силовой трансформатор. Работу инвертора контролирует система управления (СУ). Увеличивая и уменьшая длительности управляющих импульсов, можно изменять передаваемую в нагрузку мощность. Кроме основных блоков, схема содержит и вспомогательные: корректор коэффициента мощности (ККМ) и выходной выпрямитель.

Рис. 2. Структура инверторного сварочного аппарата

Основным блоком инверторного сварочного аппарата является непосредственно инвертор, который может быть реализован по любой из известных топологий. Среди наиболее часто используемых схем можно отметить push-pull, мостовую, полумостовую, полумостовую несимметричную (косой полумост).

Несмотря на многообразие топологий, требования к IGBT оказываются примерно одинаковыми:

  • Высокое рабочее напряжение. Для бытовой сети рейтинг напряжения транзисторов должен быть 600 В и выше.
  • Большие коммутационные токи. Средние значения достигают десятков ампер, пиковые – сотен ампер.
  • Высокая частота переключений. Увеличение частоты позволяет снизить габариты трансформатора и индуктивности выходного фильтра.
  • Малое значение энергии на включение (Eвкл) и выключение (Eвыкл) для минимизации потерь на переключения.
  • Низкое значение напряжения насыщения Uкэ нас. для минимизации кондуктивных потерь.
  • Стойкость к жесткому режиму коммутации. Инвертор работает с индуктивной нагрузкой.
  • Стойкость к короткому замыканию. Критично для мостовой и полумостовой схем.

К вышесказанному стоит добавить, что, во-первых, при выборе транзисторов для инвертора следует обращать внимание не только на рейтинги токов и напряжений, но и на параметры, определяющие мощность потерь. Во-вторых, требования к низкому напряжению насыщения и высокой рабочей частоте оказываются противоречивыми.

IGBT производства STMicro­electro­nics сочетают в себе уникальные характеристики: способны коммутировать большую мощность, отличаются высоким быстродействием, при этом – сохраняют низкое значение Uкэ нас. Это стало возможным благодаря использованию новейших технологий.

Мощности потерь и особенности технологии производства IGBT от ST

Основный причиной ограничения мощности инвертора является перегрев IGBT. Он является следствием потерь мощности, рассеиваемой в виде тепла.

Как известно, суммарные потери мощности в IGBT (Pd) складываются из двух составляющих: потери проводимости (Pконд, кондуктивные потери) и потери на переключения (Pперекл) (таблица 1).

Таблица 1. Потери мощности в IGBT

Параметр IGBT
Суммарные потери Pd = Pконд + Pперекл
Кондуктивные потери Pконд = Uкэ нас (rms) × Iк × D, где D – коэффициент заполнения
Потери на переключение Pперекл = Eперекл × f, где f – частота переключений, Eперекл = (Eвкл + Eвыкл) — суммарные потери на переключения (приводится в параметрах IGBT)
Максимальная мощность, ограничиваемая перегревом кристалла Pd = (Tj – Tc)/Rth-jc, где Tc – температура корпуса, Tj – температура кристалла, Rth-jc – тепловое сопротивление «кристалл-корпус» (приводится в параметрах IGBT)

Кондуктивные потери определяются значением напряжения насыщения Uкэ нас. По этой причине его стараются максимально снизить.

Потери на переключения объединяют энергию, затрачиваемую на включение (Eвкл) и на выключение (Eвыкл).

Энергия на включение Евкл в большей степени определяется встроенным антипараллельным диодом. Для оптимизации этого параметра можно использовать внешний диод с лучшими характеристиками (меньшее время восстановления) или оптимизировать режим переключения (переключения при нулевых токах или напряжениях).

Читайте также:  Во вторичную обмотку трансформатора включена лампочка

Энергия на выключение Евыкл определяется эффективностью рекомбинации неосновных носителей в структуре IGBT. Затягивание процесса рекомбинации приводит к появлению токового хвоста (рисунок 3), [2].

Рис. 3. Потери на выключение для планарного IGBT

Во время включенного состояния через IGBT протекает ток, и в его слое n- происходит накопление неосновных носителей (дырок из слоя p+). После выключения транзистора число этих накопленных носителей сокращается достаточно медленно, главным образом – за счет неэффективной рекомбинации в низколегированном слое n-. В результате образуется токовый «хвост», приводящий к дополнительным потерям мощности.

Один из способов повышения быстродействия заключается в уменьшении степени легирования области p+. Это приводит к уменьшению числа носителей, а значит – и к ускоренному процессу рекомбинации. Однако уменьшение числа носителей, очевидно, приведет и к возрастанию напряжения насыщения.

Рис. 4. Развитие технологий IGBT производства STMicroelectronics

Таким образом, увеличение быстродействия при сохранении напряжения насыщения возможно только благодаря качественным улучшениям и применению новых технологий. Например, для ускорения процесса рекомбинации между слоями p+ и n- создается слой n+ (рисунок 4а). Быстродействие возрастает, но остается достаточно низким.

Одним из революционных решений, позволившим качественно улучшить характеристики IGBT, стало применение технологии TGFS (Trench Gate Field Stop), (рисунок 4б). Суть TGFS состоит в изменении структуры затвора, который выполняется в изолированной канавке. Проводящий канал становится вертикальным, что уменьшает эффективную толщину слоя n-. Это, с одной стороны, приводит к снижению напряжения насыщения, а с другой – к уменьшению числа накапливаемых носителей.

Наиболее современное поколение IGBT производства STMicroelectronics серии V включает все лучшие технологические решения [2]: TGFS, снижение толщины исходной пластины p-, уменьшение толщин диффузных и эпитаксиальных слоев, увеличение глубины внедрения затвора (рисунок 4в). Это позволяет уменьшить энергию, затрачиваемую на выключение, при сохранении значения напряжения насыщения.

STMicroelectronics выпускает несколько серий IGBT с различными характеристиками. Богатый выбор позволяет найти оптимальные транзисторы с учетом требований к конкретному сварочному аппарату и используемой топологии.

Обзор серий IGBT от ST

Линейка IGBT производства STMicroelectronics содержит четыре серии, представители которых наиболее подходят для сварочных инверторов. Это серии V, HB, H, M. Все эти транзисторы отвечают перечисленным выше требованиям и имеют отличные характеристики [1, 4]:

  • высокие рабочие напряжения – 600…1200 В;
  • высокие показатели коммутируемых токов – до 80 А;
  • рекордные значения энергии выключения – от 0,2 мДж;
  • быстродействие – до 120 кГц;
  • доступность версий со встроенным быстродействующим антипараллельным диодом;
  • доступность различных корпусных исполнений (TO-247, D2PAK, TO-220 и другие);
  • стойкость к импульсам короткого замыкания.

Серия M предназначена для коммутации напряжений до 1200 В и токов до 40 А (таблица 2). Отличительной особенностью серии является низкое напряжение насыщения (не более 2,2 В) и малая энергия на переключения (от 1,2 мДж). Это делает данные транзисторы оптимальным выбором для инверторов, работающих на частотах до 20 кГц.

Таблица 2. Характеристики IGBT серии M

Наименование Корпус Uкэ макс., В Iк макс. при Tc = 100°C, А Uкэ нас. макс., В Eвыкл тип. при Tc = 125°C, мДж Диод F макс., кГц Pd макс., Вт
STGW15M120DF3 TO-247 1200 15 2,2 1,2 есть 20 283
STGW25M120DF3 TO-247 1200 25 2,2 2 есть 20 326
STGW40M120DF3 TO-247 1200 40 2,2 3 есть 20 468
STGWA15M120DF3 TO-247 LONG LEADS 1200 15 2,2 1,2 есть 20 283
STGWA25M120DF3 TO-247 LONG LEADS 1200 25 2,2 2 есть 20 326
STGWA40M120DF3 TO-247 LONG LEADS 1200 40 2,2 3 есть 20 468

Серия H способна коммутировать напряжения до 1200 В и токи до 40 А (таблица 3). По сравнению с транзисторами серии M, IGBT серии H имеют меньшее значение энергии переключения (от 0,85 мДж) и большее напряжение насыщения (до 2,4 В). По этой причине они подходят для более высокочастотных приложений и способны работать на частотах до 100 кГц.

Таблица 3. Характеристики IGBT серии H

Наименование Корпус Uкэ макс., В Iк макс. при Tc = 100°C, А Uкэ нас. макс., В Eвыкл тип. при Tc = 125°C, мДж Диод F макс., кГц Pd макс., Вт
STGW15H120DF2 TO-247 1200 15 2,4 0,85 есть 50 260
STGW15H120F2 TO-247 1200 15 2,4 0,85 нет 50 260
STGWA15H120DF2 TO-247 LONG LEADS 1200 15 2,4 0,85 есть 50 260
STGWA15H120F2 TO-247 LONG LEADS 1200 15 2,4 0,85 нет 50 260
STGW25H120DF2 TO-247 1200 25 2,4 1,4 есть 50 375
STGW25H120F2 TO-247 1200 25 2,4 1,4 нет 50 375
STGW40H120DF2 TO-247 1200 40 2,4 2,2 есть 100 468
STGW40H120F2 TO-247 1200 40 2,4 2,2 нет 100 468

Серия HB не является основной для построения сварочных инверторов, однако ее характеристики также на высоте (таблица 4). Напряжение насыщения для этих IGBT являются рекордными среди всех семейств и начинаются от 1,65 В. Энергия переключения, во многих случаях не превышает 0,6 мДж. Рабочая частота для представителей семейства достигает 50 кГц.

Таблица 4. Характеристики IGBT серии HB

Наименование Корпус Uкэ макс., В Iк макс. при Tc = 100°C, А Uкэ нас макс., В Eвыкл тип. при Tc = 125°C, мДж Диод F макс., кГц Pd макс., Вт
STGFW20H65FB TO-3PF 650 20 1,65 0,6 нет 50 58
STGFW30H65FB TO-3PF 650 30 1,65 0,6 нет 50 58
STGFW40H65FB TO-3PF 650 40 1,8 0,6 нет 50 58
STGW20H65FB TO-247 650 20 1,65 0,6 нет 50 260
STGW30H65FB TO-247 650 30 1,65 0,6 нет 50 260
STGW40H65DFB TO-247 650 40 1,8 0,6 есть 50 283
STGW40H65FB TO-247 650 40 1,8 0,6 нет 50 283
STGW60H65DFB TO-247 650 60 1,75 1 есть 50 375
STGW60H65FB TO-247 650 60 1,75 1 нет 50 375
STGW80H65DFB TO-247 650 80 1,6 1,3 есть 50 469
STGW80H65FB TO-247 650 80 1,8 1,9 нет 50 469
STGWA80H65FB TO-247 LONG LEADS 650 80 1,8 1,9 нет 50 469
STGWT20H65FB TO-3P 650 20 1,65 0,6 нет 50 260
STGWT30H65FB TO-3P 650 30 1,65 0,6 нет 50 260
STGWT40H65DFB TO-3P 650 40 1,8 0,6 есть 50 283
STGWT40H65FB TO-3P 650 40 1,8 0,6 нет 50 283
STGWT60H65DFB TO-3P 650 60 1,75 1 есть 50 375
STGWT60H65FB TO-3P 650 60 1,75 1 нет 50 375
STGWT80H65DFB TO-3P 650 80 1,6 1,3 есть 50 469
STGWT80H65FB TO-3P 650 80 1,8 1,9 нет 50 469
Читайте также:  Кнопку на перфоратор пит

Серия V, как было сказано выше, является флагманом в номенклатуре STMicroelectronics. Благодаря новейшим технологиям, у данных IGBT практически полностью отсутствует токовый «хвост», и энергия на выключение оказывается минимальной – от 0,2 мДж (таблица 5), при этом напряжение насыщения не превышает 2,15 В. Все это позволяет использовать транзисторы серии V в быстродействующих инверторах с максимальной частотой переключения до 120 кГц.

Таблица 5. Характеристики IGBT серии V

Наименование Корпус Uкэ макс., В Iк макс. при Tc = 100°C, А Uкэ нас. макс., В Eвыкл тип. при Tc = 125°C, мДж Диод F макс., кГц Pd макс., Вт
STGB20V60DF D2PAK 600 20 2,15 0,2 есть 120 167
STGB20V60F D2PAK 600 20 2,15 0,2 нет 120 167
STGFW20V60DF TO-3PF 600 20 1,8 0,2 есть 120 52
STGFW20V60F TO-3PF 600 20 2,15 0,2 нет 120 167
STGP20V60DF TO-220AB 600 20 2,15 0,2 есть 120 167
STGP20V60F TO-220AB 600 20 2,15 0,2 нет 120 167
STGW20V60DF TO-247 600 20 2,15 0,2 есть 120 167
STGW20V60F TO-247 600 20 2,15 0,2 нет 120 167
STGWT20V60DF TO-3P 600 20 2,15 0,2 есть 120 167
STGWT20V60F TO-3P 600 20 2,15 0,2 нет 120 167
STGB30V60DF D2PAK 600 30 2,15 0,3 есть 120 260
STGB30V60F D2PAK 600 30 2,15 0,3 нет 120 260
STGFW30V60DF TO-3PF 600 30 2,15 0,3 есть 120 58
STGFW30V60F TO-3PF 600 30 2,15 0,3 нет 120 58
STGP30V60DF TO-220AB 600 30 2,15 0,3 есть 120 260
STGP30V60F TO-220AB 600 30 2,15 0,3 нет 120 260
STGW30V60DF TO-247 600 30 2,15 0,3 есть 120 260
STGW30V60F TO-247 600 30 2,15 0,3 нет 120 260
STGWT30V60DF TO-3P 600 30 2,15 0,3 есть 120 260
STGWT30V60F TO-3P 600 30 2,15 0,3 нет 120 260
STGB40V60F D2PAK 600 40 2,15 0,5 нет 120 283
STGFW40V60DF TO-3PF 600 40 2,15 0,5 есть 120 62,5
STGFW40V60F TO-3PF 600 40 2,15 0,45 нет 120 60
STGP40V60F TO-220AB 600 40 2,15 0,5 нет 120 283
STGW40V60DF TO-247 600 40 2,15 0,5 есть 120 283
STGW40V60F TO-247 600 40 2,15 0,5 нет 120 283
STGWT40V60DF TO-3P 600 40 2,15 0,5 есть 120 283
STGW60V60DF TO-247 600 60 2,15 0,75 есть 120 375
STGW60V60F TO-247 600 60 2,15 0,75 нет 120 375
STGWT60V60DF TO-3P 600 60 2,15 0,75 есть 120 375
STGFW80V60F TO-3PF 600 80 2,15 1,15 нет 120 79
STGW80V60DF TO-247 600 80 2,15 1,15 есть 120 469
STGW80V60F TO-247 600 80 2,15 1,15 нет 120 469
STGWT80V60DF TO-3P 600 80 2,15 1,15 есть 120 469
STGWT80V60F TO-3P 600 80 2,15 1,15 нет 120 469

Для наименования IGBT представленных серий используется код, состоящий из восьми позиций (таблица 6). Он содержит тип компонента, обозначение корпуса, название семейства, напряжение пробоя, наличие диода и его характеристики. Стоит отметить, что версии транзисторов с диодом с низким падением напряжения (индекс DL) не подходят для работы в составе сварочных инверторов.

Таблица 6. Именование IGBT производства STMicroelectronics

Код напряжения пробоя:

  • 60 – 600 В
  • 65 – 650 В
  • 120 – 1200 В
  • V – Very High Speed до 120 кГц
  • H…B – High Speed до 50 кГц
  • H – High Speed до 35 кГц
  • M – Low Loss до 20 кГц

Максимальный ток при 100°С

STG W 60 V 60 D F 3
Поколение технологии
Технология Trench gate Field Stop
Встроенный диод:
  • (пусто) – нет
  • D – быстродействующий
  • DL – с низким падением
B – D2PAK W – TO-247
F – TO-220FP WA – TO-247 Long Led
FW – TO3FP WT – TO-3P
P – TO-220 Y – Max247

Большинство IGBT представленных семейств выпускается в двух вариантах: со встроенным быстродействующим диодом и без него. Характеристики этих диодов достаточно хороши. Однако в случае необходимости требуется применять внешние диоды, например, в схеме асимметричного моста. При этом следует обратить внимание на мощные быстродействующие диоды серии W производства STMicroelectronics.

Обзор мощных диодов серии W от ST

Мощные быстродействующие диоды серии W разработаны специально для работы в составе мощных импульсных преобразователей с жесткими условиями переключений. Для этого их характеристики соответствующим образом оптимизированы (таблица 7):

  • для снижения статической мощности прямое падение напряжения уменьшено (от 0,92 В);
  • обратное напряжение достигает 600 В;
  • средний ток достигает 200 А;
  • время восстановления и обратный ток существенно снижены для сокращения энергии на переключение;
  • большинство диодов выпускаются в сдвоенном исполнении.

Таблица 7. Мощные быстродействующие диоды производства STMicroelectronics

Наименование Корпус Диодов в корпусе Uобр макс., В Iср макс., A Uпрям макс. при токе, В tвосcт. макс., нс Tкристалла макс., °C
STTH20W02C TO-247 2 200 10 1,05 (10 А) 25 175
STTH30W02C TO-247 2 200 15 1,15 (15 А) 27 175
STTH60W02C TO-247 2 200 60 0,92 (30 А) 30 175
STTH200W03TV1 ISOTOP 2 300 200 1,15 (100 А) 50 150
STTH60W03C TO-247 2 300 30 1,15 (30 А) 35 175
STTH30W03C TO-247 2 300 15 1,4 (15 А) 25 175
STTH200W04TV1 ISOTOP 2 400 200 1,55 (100 А) 55 150
STTH61W04S TO-247 1 400 60 1,15 (30 А) 55 175
STTH100W04C TO-247 2 400 100 1,2 (50 А) 50 175
STTH200W06TV1 ISOTOP 2 600 200 1,3 (100 А) 75 150
STTH100W06C TO-247 2 600 100 1,15 (50 А) 75 175
STTH50W06S TO-247 1 600 50 1,75 (50 А) 45 175

Результаты практического применения IGBT от ST в MMA-инверторах

Для подтверждения преимуществ транзисторов IGBT производства STMicro­electro­nics были построены и испытаны сварочные инверторы: MMA160 (входная мощность 3,8 кВт) и MMA200 (входная мощность 6 кВт) [3].

Условия проведения испытаний были одинаковыми [3]:

  • в обоих случаях использовалась асимметричная полумостовая схема инвертора со спаренными параллельными IGBT (рисунки 5 и 6);
  • в качестве питания использовалось сетевое напряжение 220 В, 50 Гц;
  • температура окружающего воздуха составляла 25°C;
  • в качестве нагрузки применялись керамические резисторы общим сопротивлением 145 мОм с активным охлаждением;
  • максимальный коэффициент заполнения не превышал 50% для гарантированного исключения возможности насыщения сердечника выходного ВЧ-трансформатора;
  • защитное отключение производилось при достижении транзисторами температуры 105°С.

Инвертор MMA160 был построен на базе транзисторов STGW40V60DF (рисунок 5). Частота переключений составляла 63 кГц.

Рис. 5. Схема инвертора MMA160

В ходе испытаний производились замеры входной мощности, входного тока и температуры корпуса транзисторов. При увеличении входной мощности от 2 кВт до максимальной мощности в 3,8 кВт происходил разогрев транзисторов и рост энергии на выключение (таблица 8).

Таблица 8. Результаты испытаний инвертора MMA 160

3,8 (макс.)

Входная мощность, кВт Входной ток, А Коэффициент мощности Температура, °С Время Энергия выключения, мДж
2 15,4 0,58 62 311
3 22,2 0,61 83 466
26,3 0,66 105 10 мин 17 сек 550

Инвертор показал устойчивую работу во всем диапазоне мощностей. Отключение при максимальной мощности произошло только по истечении 10 минут 17 секунд, после срабатывания защиты от перегрева (105°С). Максимальное значение энергии на выключение IGBT при этом увеличивалось с 311 мДж до 550 мДж, что является хорошим результатом и соответствует заявленному в документации значению (таблица 5).

Инвертор MMA200 был построен с использованием спаренных IGBT STGW60H65DFB (рисунок 6). Рабочая частота составила 63 кГц. Для дополнительной защиты транзисторов были применены снабберные RC-цепочки.

Рис. 6. Схема инвертора MMA200

В ходе испытаний входная мощность MMA200 увеличивалась с 2,6 кВт до 5,8 кВт. Инвертор продемонстрировал устойчивую работу во всех режимах и выключился после срабатывания температурной защиты спустя 8 минут 15 секунд после выхода на мощность 5,8 кВт. При увеличении входных токов происходил рост температуры транзисторов и увеличение энергии на выключение (таблица 9). Диапазон изменений энергии на выключение составил 586…947 мДж, что соответствует заявленному значению.

Таблица 9. Результаты испытаний инвертора MMA200

2233

3864

3172

4949

3997

5883

4624

Входная мощность, Вт Выходной ток, А Выходная мощность, Вт Температура, °С Время Энергия выключения, мДж
59 586
130 71 787
165 87 887
200 105 8 мин 15 сек 947

Проведенные испытания подтвердили отличные характеристики, заявленные производителем. Таким образом, IGBT производства компании STMicroelectronics идеально подходят для построения инверторов сварочных аппаратов.

Заключение

В номенклатуре компании STMicro­electro­nics есть четыре серии IGBT, предназначенных для работы в жестких условиях переключения в составе сварочных инверторов. Данные транзисторы отвечают всем необходимым для этого требованиям. Их основными достоинствами являются:

  • высокие рабочие напряжения – 600…1200 В;
  • высокие показатели коммутируемых токов – до 80 А;
  • рекордные значения энергии выключения – от 0,2 мДж;
  • быстродействие – до 120 кГц;
  • доступность версий со встроенным быстродействующим антипараллельным диодом;
  • доступность различных корпусных исполнений (TO-247, D2PAK, TO-220 и другие);
  • стойкость к импульсам короткого замыкания.

Кроме IGBT, STMicroelectronics предлагает разработчикам мощные быстродействующие диоды серии W, которые отличаются малым временем восстановления и низким прямым падением напряжения.

Отличные характеристики силовых компонентов производства ST подтверждены практикой. Для этого инженерами компании были созданы и испытаны сварочные инверторы MMA160 и MMA200, построенные на основе транзисторов STGW40V60DF и STGW60H65DFB.

Источник

Оцените статью
toolgir.ru
Adblock
detector